Bich bao

(a) Đường cong điện trễ (P-E) và (b) hằng số điện môi của màng PZT, PFZT và PFZT/PZT
GIỚI THIỆU
THỰC NGHIỆM

Nguyên liệu ban đầu là muối và alkoxide của các kim loại
Các Sol ban đầu Pb, Zr, Ti khuấy và nâng nhiệt đến 124oC.
Dung dịch sol PZT và PFZT quay phủ trên đế (Pt/Ti/SiO2/Si)
Tốc độ quay 4000 vòng/phút trong thời gian 30 giây.
Màng mỏng được sấy khô ở nhiệt độ 400oC trong 10 phút
Quá trình lặp lại 6 lần để đạt chiều dày màng mỏng PZT và PFZT/PZT mong muốn
KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
KẾT LUẬN
LỜI CẢM ƠN
Công trình này được tài trợ bởi Quỹ phát triển khoa học và công nghệ quốc gia (NAFOSTED) với đề tài mã số 103.02-2011.40.
 
Quy trình công nghệ chế tạo màng mỏng PZT, PFZT, PFZT/PZT
Ứng dụng của màng mỏng PZT
 

Màng dị lớp pha tạp PFZT/PZT
Màng mỏng pha tạp Pb([Zr0.52Ti0.48]0.99Fe0.01)O3 (PFZT) màng mỏng dị lớp pha tạp PFZT/PZT
Phổ XRD của màng PZT, PFZT pha tạp 1% Fe và màng dị lớp pha tạp PZT/PFZT
Màng có cấu trúc perovskites.
Định hướng ưu tiên theo các hướng (100) và (111)
Tỷ lệ pha tinh thể theo các hướng (100) và (111): 2.5/1.0;0.5/1.0; 1.2/1.0
Ảnh hiển vi điện tử quét (SEM) cắt ngang của màng mỏng
Phổ XRD của màng mỏng PZT, PFZT và PZT/PFZT
 
 
http://itims.edu.vn
Màng mỏng có độ kết khối lớn
không xuất hiện sự tách lớp hay nứt gãy
Màng mỏng có độ dày 360 nm
Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu (ITIMS), Trường ĐHBK Hà nội,
*E-mail: minh.nguyen@itims.edu.vn

N. T. Q. Chi, P. N. Thao, N. Tai, V. T. HIỀN, N. D. Minh, V. N. Hung
NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT SẮT ĐIỆN CỦA MÀNG MỎNG DỊ LỚP PHA TẠP PFZT/PZT

Tinh thể hóa tạo pha perovskite
Ủ tại nhiệt độ 6500C trong 120 phút .

Bộ nhớ ngẫu nhiên không bị mất dữ liệu khi tắt nguồn (NVRAM)
Cảm biến sinh học
Linh kiện vi gương và vi bơm
Tính chất sắt điện Pr
Tính chất áp điện d33
Hằng số điện môi
Cải thiện tính chất của màng mỏng
Sự cải thiện tính chất dựa vào sự nghiên cứu màng mỏng sắt điện dị lớp pha tạp (PFZT/PZT) chế tạo bằng phương pháp sol-gel
Cải thiện màng mỏng Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) dựa vào kết quả nghiên cứu:

.